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　　　　　　　　　半导体分立测试系统

一、设备用途及主要测试对象

　　二极管及整流桥：VR、IR、VF、VZ、HVZ、动态阻抗。
　　三极管：BVCBO、BVCEO、BVCER、BVCES、BVEBO、ICBO、ICEO、ICER、ICES、IEBO、VCES、VBES、HFE。
　　可控硅：IGT、IH、IL、VGT、VON、BVAKF、BVAKR、BVAKO、IAKF、IAKR。
　　场效应管：BVDSS、BVDSR、BVDSO、BVDGO、BVGSO、BVGSS、IDSS、IDSO、IGDO、IGSO、IDSR、VGS、VDS、VTH、gm。
　　达林顿管：VCESAT、ICEO.R.S、IEBO、HFE、VBESAT、BVCEO. IGBT、BVCGR、BVGES、TGES、VCEST、VGETH。
　　光电耦合器：VF、IR、BVR、BVCEO、ICEO、CTR、VCESAT。的静态参数并能对测试结果进行存储和打印。

* 测试原理符合相应的国家标准，国家军用标准和行业标准。
* 采用脉冲法测试功率参数，符合国军标并有效的抑制测试温生。
* 采用Kelvin测试原理，排除线路电阻及接触电压，使大电流的参数测试更准。

二、设备技术指标：

(1) 电流 / 电压源 VIS

a 加流 (FI)

量程	分辨率	精度
± 50A	1.5mA	± 0.5% 设定值 ± 50mA
± 2A	61uA	± 0.5% 设定值 ± 5mA
± 200mA	6.1uA	± 0.5% 设定值 ± 500uA
± 20mA	610nA	± 0.5% 设定值 ± 50uA
± 2mA	61nA	± 0.5% 设定值 ± 5uA
± 200uA	6.1nA	± 0.5% 设定值 ± 500nA
± 20uA	610pA	± 0.5% 设定值 ± 50nA
± 2uA	61pA	± 0.5% 设定值 ± 5nA

b 加压 (FV)

量程	分辨率	精度
± 20V	610uV	± 0.5% 设定值 ± 2mV
± 2V	61uV	± 0.5% 设定值 ± 2mV
± 200mV	6.1uV	± 0.5% 设定值 ± 2mV

(2) 数据采集 ( 电压和电流测量 ) VIM

16 位 ADC; 100K/S 采样速率 ;8K 数据 RAM

a 电流测量 (MI)

量程	分辨率	精度
± 200mA	6.1uA	± 0.5% 读数值 ± 500uA
± 20mA	610nA	± 0.5% 读数值 ± 50uA
± 2mA	61nA	± 0.5% 读数值 ± 5uA
± 200uA	6.1nA	± 0.5% 读数值 ± 500nA
± 20uA	610pA	± 0.5% 读数值 ± 50nA
± 2uA	61pA	± 0.5% 读数值 ± 5nA
± 200nA	6.1pA	± 0.5% 读数值 ± 0.5nA

b 电压测量 (MV)

量程	分辨率	精度
± 2000V	61mV	± 0.5% 读数值 ± 200mV
± 200V	6.1mV	± 0.5% 读数值 ± 20mV
± 20V	610uV	± 0.5% 读数值 ± 10mV
± 2V	61uV	± 0.5% 读数值 ± 2mV
± 200mV	6.1uV	± 0.5% 读数值 ± 2mV